应用领域
◆ 环境氡检测
◆ 带电粒子探测
◆ 核科学与技术
◆ 辐射防护与监测
钝化离子注入平面硅探测器(PIPS)采用先进的半导体制程工艺制造,通过光刻技术精确确定几何外形,离子注入工艺精确控制掺杂深度分布,具有低漏电流和极薄死层厚度特性,平面硅探测器可用于 α、β和质子等带电粒子探测。
与硅表面位垒探测器(SSB)相比,其结构边沿埋置于芯片内部,而非使用环氧树脂密封,使其漏电流更小;离子注入技术能获得更薄的入射死层厚度,有利于提高探测分辨率,同时钝化工艺可形成坚固、可靠的接触极。
◆ 标准探测器可烘烤至 120℃
◆ 入射窗铝窗坚固耐用,方便清洗擦拭
◆ 采用表面钝化工艺,具有低漏电流和高稳定性
◆ 采用离子注入工艺,具有低噪声、高能量分辨率
◆ 提供插针、表贴、引线等多种封装方式满足各种场景需求
1. 工作温度范围:-40℃~50℃
2. 推荐偏置电压范围:6V-70V
3. 探测器有效面积范围:51-400mm2
有效面积(mm2) | 分辨率keV(FWHM)
α β |
产品型号 |
---|---|---|
51 | 17 12 | BC-SDW-51 |
56 | 17 12 | BC-SDW-56 |
60 | 17 12 | BC-SDW-60 |
68 | 17 12 | BC-SDW-68 |
113 | 17 12 | BC-SDW-113 |
400 | 19 14 | BC-SDW-400 |