应用领域
◆ 带电粒子探测
◆ Alpha谱测量
◆ 低本底α、β测量
钝化离子注入平面硅探测器(PIPS)采用先进的半导体制程工艺制造,通过光刻技术精确确定几何外形,离子注入工艺精确控制掺杂深度分布,具有低漏电流和极薄死层厚度特性,平面硅探测器可用于 α、β和质子等带电粒子探测。
与硅表面位垒探测器(SSB)相比,其结构边沿埋置于芯片内部,而非使用环氧树脂密封,使其漏电流更小;离子注入技术能获得更薄的入射死层厚度,有利于提高探测分辨率,同时钝化工艺可形成坚固、可靠的接触极。
◆ 最高偏置电压可达 150V
◆ 标准探测器可烘烤至 120℃
◆ 超薄的入射窗口,具有极低死层
◆ 采用表面钝化工艺,具有低漏电流和高稳定性
◆ 采用离子注入工艺,具有低噪声、高能量分辨率
◆ 采用镀金金属外壳封装,具有良好的抗干扰性能
◆ 接口适配SMA/Microdot,具有良好的兼容性
1. 工作温度范围:-40℃~50℃
2. 推荐偏置电压范围:6V-70V
3. 探测器有效面积范围:120-2800mm2
有效面积(mm2) | 分辨率keV(FWHM)
α β |
产品型号 |
---|---|---|
120 | 17 12 | BC-RDW-120 |
270 | 17 12 | BC-RDW-270 |
300 | 18 13 | BC-RDW-300 |
490 | 20 15 | BC-RDW-490 |
620 | 21 16 | BC-RDW-620 |
700 | 23 18 | BC-RDW-700 |
950 | 28 23 | BC-RDW-950 |
1200 | 32 27 | BC-RDW-1200 |
2000 | 38 33 | BC-RDW-2000 |
2800 | 55 50 | BC-RDW-2800 |